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　纳米碳/硅半导体异质结的制备、电学性能及器件设计
  • 项目名称：　纳米碳/硅半导体异质结的制备、电学性能及器件设计
  • 批准号：t832410001
  • 项目来源：2008年度教育部科学技术研究重点项目
  • 研究期限：2014-01-
  • 项目负责人：薛庆忠
  • 依托单位：中国石油大学(华东)
薛庆忠的项目
表面修饰非晶碳膜/二氧化硅/硅异质结的电学性能和非极性气体敏感特性
期刊论文 2
碳纳米锥/硅异质结的电学性能与气体敏感特性
期刊论文 20 会议论文 3 获奖 1
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　纳米碳膜/硅中的界面效应
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