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高能重离子的电子能损所引起的潜径迹研究
  • 项目名称：高能重离子的电子能损所引起的潜径迹研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10075064
  • 申请代码：A050401
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人：侯明东
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院近代物理研究所
  • 批准年度：2000
中文摘要：

本项目通过高能重离子的低温辐照，研究在电子能损起主导作用的能区，晶态及非晶态材料中缺陷的产生、迁移和聚集，潜径迹的形成和形貌特征以及对后继宏观效应的影响，获得损伤截面及潜径迹的形貌与辐照参数、靶材性质的关系，探索电子激发转化为原子位移的演化过程，建立理论模型，预期在快重离子的电子能损效应的机理研究方面取得突破性进展。

中文主题词： 电子能损效应;塑性形变;强电子激发;快重离子辐照;U3Si
结论摘要：

英文主题词Electronic energy loss effect，Latent tracks，Swift heavy ion irradiation，Plastic deformation，U3Si

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 22
  • 37
  • 0
  • 2
  • 0
期刊论文
Tracks of swift heavy ions in graphite studied by scanning tunneling microscopy
Blistering and flaking of amorphous alloys bombarded with He ions
用 12C 离子模拟质子引起的单粒子效应
Graphite irradiated by swift heavy ions under grazing incidence
电子能损的潜径迹形成机制及理论模型的新进展
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高能重离子电子能损所引起的潜径迹研究
利用HIRFL加速的重离子获得(-LET曲线
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高能质子引起器件单粒子效应的研究方法
Single Event Effects Induced by 15.14MeV/u 136Xe Ions
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Heavy Ion-induced Deformation of radiation- amorphized U3Si
用重离子实验数据推算质子翻转截面和轨道翻转率
σ-LET curve obtained with heavy ions accelerated by HIRFL
会议论文
Single event effects induced by 15.14MeV/u 136Xe ions.
Experiment Investigation of Heavy Ion Induced SEMU in High-density SRAMs.
空间辐射与载人航天
质子单粒子效应研究的最新进展
位置灵敏的束流均匀度测量系统
高能重离子的能量测量
利用HIRFL加速的重离子获得(－LET曲线
用HIRFL提供的 12C 离子模拟质子引起的单粒子效应
SJ-5卫星单粒子效应地面模拟：装置(Ⅱ)－用于单粒子效应研究的注量监测系统
SJ-5卫星单粒子效应地面模拟：装置(Ⅲ)－单粒子效应实验中的能量测量系统
实践5号单粒子效应地面模拟：装置(Ⅳ)－单粒子实验的束流均匀度测量系统
宇宙射线轰击月球表面产生的γ射线
混合离子加速技术在单粒子效应和探测器标定中的应用
质子在半导体器件中引起的单粒子效应研究
Impact of Incident Angle on MBU Ratio in SRAM.
Graphite surface damage induced by swift heavy ions
中子发现的历史回顾及其深远意义－纪念中子发现70周年
HIRFL在单粒子效应实验研究中的应用
Intel 8086 微处理器地面单粒子效应实验(I)
Intel 8086 微处理器单粒子翻转截面修正(II)
基于半导体集成电路辐射效应的空间环境探测器
火星探测的现状与未来
探测月球表面成分的γ射线谱仪
电子能损的潜径迹形成机制及理论模型的新进展
Graphite Surface Damage Produced by Heavy Ions.
A Study on Surface Topography of Amorphous Alloys Irradiated with Helium Ions.
PLASTIC DEFORMATION ON THE SURFACE OF BULKY U3Si BOMBARDED BY HEAVY IONS.
RESEARCH ON SINGLE EVENT EFFECTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE AT HIRFL: SIMULATION EQUIPMENT.
RESEARCH ON SINGLE EVENT EFFECTS IN SEMICONDUCTOR DEVICE AT HIRFL: SIMULATION EXPERIMENT.
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获奖
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