欢迎您！东篱公司
退出
-
申报数据库
-
立项数据库
-
成果数据库
-
项目获奖数据库
位置：立项数据库 > 立项详情页
中文摘要：
基于金属氧化物（Metal-Oxide，简称MO，如ZnO、IGZO等）的薄膜晶体管（TFT）具有以其迁移率高、电学均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是适合驱动有机发光二极管（OLED）和高分辨率液晶显示（LCD）的理想有源器件，并成为当前学界和业界的研究热点。但是，目前MO-TFT仍然面临电学和光学性能不稳定的问题，限制了其产业化应用，需要从材料、器件结构及薄膜界面等方面进行深入的基础研究，才有可能从根本上解决这一瓶颈问题。为此，该申请项目拟研究MO-TFT稳定性的机理问题，重点研究MO材料的内部规律，包括其组分、薄膜结构、离子配位状态、能带结构和载流子输运规律等，并结合对器件结构和界面物理的研究建立科学的物理模型，深层次指导材料设计和器件制备，获得有自主知识产权的高稳定的MO材料体系，最终实现基本了解和解决MO-TFT稳定性问题的目标，并实现稳定的AMOLED样机。
结论摘要：
英文主题词Metal oxide；Thin-film transistor；Stability；；
成果综合统计
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
期刊论文
Simplified hybrid white organic light-emitting diodes with efficiency/efficiency roll-off/color rend
Gate bias stress stability under light irradiation for indium zinc oxide thin-film transistors based
Regulating charges and excitons in simplified hybrid white organic light-emitting diodes: The key ro
Hybrid white organic light emitting diodes with low efficiency roll-off, stable color and extreme br
Investigation and optimization of each organic layer: A simple but effective approach towards achiev
Very-High Color Rendering Index Hybrid White Organic Light-Emitting Diodes with Double Emitting Nano
Flexible organic field-effect transistors with high-reliability gate insulators prepared by a room-t
Influence of source and drain contacts on the properties of the indium-zinc oxide thin-film transist
相关项目
兰林锋的项目