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W-Re-Os三元合金膜提高钡钨阴极电子发射的机理研究
  • 项目名称:W-Re-Os三元合金膜提高钡钨阴极电子发射的机理研究
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60871053
  • 申请代码:F010706
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人:阴生毅
  • 负责人职称:副研究员
  • 依托单位:中国科学院电子学研究所
  • 批准年度:2008
中文摘要:

为提高覆膜浸渍钡钨阴极的电子发射能力,在阴极表面沉积三元贵金属合金薄膜是国际上极具潜力的发展方向。我们提出并制备了5W-3Re-2Os的三元贵金属合金膜,使阴极电子发射能力达到国际同类阴极的领先水平。然而,对于三元合金膜提高阴极电子发射的机理,国际上尚无相关的报道。基于阴极电子发射与阴极表面盈余Ba、Ba/O原子层化学计量比及成键状态等密切相关,本项目拟从研究合金膜对Ba/O原子层的吸附规律入手,深入开展发射机理研究。研究内容包括以5W-3Re-2Os三元合金膜为主要研究对象,研究薄膜表面温度变化导致吸附Ba/O层化学计量比、厚度及化学价态改变的过程;研究覆膜试样电子发射性能随吸附条件改变而产生变化的规律;结合热电子发射理论,开展三元合金膜改善阴极电子发射能力的微观机理研究。本项目研究工作,有助于从微观层面了解覆膜阴极电子发射的本质,对研制具有自主知识产权的的高性能阴极具有指导作用。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 5
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