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InGaN合金薄膜生长和光电响应性质研究
项目名称: InGaN合金薄膜生长和光电响应性质研究
批准号:20090091120020
项目来源:高等学校博士学科点专项科研基金新教师类课题
研究期限:2010-01-
项目负责人:刘斌
依托单位:南京大学
批准年度:0
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
1
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0
0
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期刊论文
紫外波段SiO2/Si3N4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究
刘斌的项目
III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
期刊论文 37
会议论文 2
专利 4
基于Ⅲ族氮化物半导体材料的第三代高效太阳能光伏电池
基于非辐射共振能量转移机制的混合结构白光LED器件
期刊论文 2
基于Ⅲ族氮化物半导体材料的第三代高效太阳能光伏电池
宽禁带半导体III族氮化物材料、异质结构与光电子器件
期刊论文 3
一维III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
期刊论文 10