金属磁性材料-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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金属磁性材料

项目名称：金属磁性材料
项目类别：国家杰出青年科学基金
批准号：50325104
申请代码：E010501
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2007-12-31

项目负责人：韩秀峰
负责人职称：研究员
依托单位：中国科学院物理研究所
批准年度：2003

中文摘要：

主要业绩为合成具有中国自主知识产权的新型氮化物和碳化物稀土永磁体Sm3(Fe,V)29Ny、Sm3(Fe,Cr)29Ny、Sm3(Fe,V)29Cy及Sm3(Fe,Cr)29Cy；在同一个笛卡尔坐标系内，给出1:5、2:17、3:29和1:12磁性化合物晶体指数之间的矩阵变换关系，并给出它们磁矩之间的变换关系。用铁钴磁电极制备出4.2K和室温隧穿磁电阻比为69%和50%的最佳隧道结，创国际最高记录；提出隧道结中各向异性的自旋波激发波长截止能量，扩展了一个建立在隧穿电子磁激

中文主题词：磁性隧道结，隧穿磁电阻，纳米环磁随机存储器，自旋翻转，量子阱

英文摘要：

Magnetic tunnel junction, TMR,

英文主题词： Magnetic tunnel junction, TMR,

结论摘要：

(1) 研制出一种基于"1晶体管 + 1纳米环型磁性隧道结"为基本结构单元的新型磁随机存取存储器MRAM。该项成果2006年11月通过中科院组织的成果鉴定[Bulletin of the Chinese Academy of Sciences 21(2)(2007)74]。 (2) 发展出一种利用纳米尺度的自旋电子学器件有效观测自旋翻转长度可达微米量级的新方法[PRL 97(2006)106605］。 (3) 基于第一性原理方法研究了单晶双势垒磁性隧道结Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe中的量子阱以及量子阱共振隧穿效应［PRL 97(2006)087210］。上述研究对发展自旋电子学和设计研制磁存储器、磁逻辑和自旋晶体管等自旋相关器件具有重要意义。(4) 四年中共发表SCI学术论文52篇，提交中国专利申请42项（已授权4项）和国际发明专利申请4项；有国际会议邀请报告8次、国际大会一般报告10次、国际双边学术会议邀请报告7次。(5) 培养博士后2名、博士研究生14名、国外博士留学生4名、硕士研究生8名。

成果综合统计