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中文摘要：
II-VI族Te化物半导体在光电子及信息技术领域具有重要的应用背景。然而，采用熔体法生长的晶体中往往存在大量的富Te相及其诱导的缺陷，成为目前制约该类器件进一步发展的主要因素。本项目拟以熔体法生长的典型II-VI族Te化物半导体-CdTe和CdZnTe为载体，主要研究(1)富Te相的生长机理以及形态演化过程的热力学与动力学描述，并运用缺陷物理和缺陷化学方法，建立点缺陷及位错的扩散和聚集模型。(2)探索富Te相诱导缺陷的定量分析方法，揭示富Te相与其诱导缺陷耦合作用的动力学原理，掌握富Te相与其诱导缺陷相互转化的热力学条件。(3)设计"循环温度梯度"退火技术，消除生长态晶体中的富Te相，抑制杂质扩散及溶质尾迹现象，并结合"特殊气体气氛"退火，对晶体中的电活性缺陷进行优化。本项目将实现对II-VI族Te化物半导体中富Te相及其诱导缺陷的有效调控，为制备高性能光电器件提供理论依据和技术路线。
结论摘要：
英文主题词Group II-VI telluride compound；Bulk crystal；Te-rich secondary phase particle；Induced defect；Annealing
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Dislocation-mediated coupling mechanism between the microstructural defects and Te inclusions in CdZ
One pillared-layer alpha-Po framework with a rare tetracobalt-formate (4,4) sheet exhibiting a field
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