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半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究
  • 项目名称：半导体器件与电路的“响应型”损伤机理与实验研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60776034
  • 申请代码：F040604
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人：柴常春
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2007
中文摘要：

本项目从器件与IC的结构特点、寄生效应、固有特性和薄弱环节分析入手，结合现代信号分析技术(信号能量、功率与功率谱分析等)，得到具有明确针对性的、以器件与IC固有特性和薄弱环节的"响应型"和"敏感型"损伤为特征的注入信号样式(包括频率、脉宽、电平、重频与调制方式等)，通过特殊信号样式的注入损伤实验，研究获得器件与IC的"响应型"功率-频率损伤效应及损伤机理。本项目的研究方法和作用机制与传统的单纯依靠电平功率作用下的损伤机理和可靠性研究方法有着本质的区别，它直接针对了制约器件和电路可靠性提高的最脆弱"瓶颈"，是目前国内外可靠性研究的崭新领域，属本项目首创，因而有着重要的科学意义、学术意义和实用价值。

中文主题词： 器件与电路；固有特性；薄弱环节；响应型损伤；损伤机理
结论摘要：

英文主题词Devices and ICs; Intrinsic properties; Weakness link; Responding type injury; Injury mechanism

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 34
  • 7
  • 2
  • 0
  • 0
期刊论文
Si基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理
一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路
Low-power variable frequency PFC converters
一种基于纳米级CMOS工艺的互连线串扰RLC解析模型
Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electroma
源、漏到栅距离对次亚微米ggNMOS ESD保护电路鲁棒性的影响
双极晶体管在强电磁脉冲作用下的损伤效应与机理
The effect of injection damage on a silicon bipolar low-noise amplifier
EMP injection damage effects of a bipolar transistor and its relationship between the injecting volt
考虑通孔效应和边缘传热效应的纳米级互连线温度分布模型
一种基于目标延迟约束缓冲器插入的互连优化模型
一种考虑温度的分布式互连线功耗模型
一种10位200kS/s 65nm CMOS SAR ADC IP核
PWM降压型DC/DC转换器的高层次模型
应变ZnO光学和电学特性的第一性原理计算
A high performance 90 nm CMOS SAR ADC with hybrid architecture
一种基于0.13μm CMOS工艺的10位SAR A/D转换器
一种PWM/伪PFM双模调制的降压型DC/DC开关电源
一种具有省电模式的CMOS反激式PWM控制器
基极注入强电磁脉冲对双极晶体管的损伤效应和机理
不同样式的高功率微波对双极晶体管的损伤效应和机理
双极晶体管微波损伤效应与机理
EMP injection damage effects of a bipolar transistor and its relationship between the injecting voltage and energy
Modeling and analysis of the HPM pulse-width upset effect on CMOS inverter
Temperature dependence of latch-up effects in CMOS inverter induced by high power microwave
Motion of current filaments in avalanching PIN diodes
Influence of the external component on the damage of the bipolar transistor induced by the electromagnetic pulse
硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理
A novel interconnect-optimal repeater insertion model with target delay constraint in 65 nm CMOS
会议论文
The effect of passive component damage of an integrated Si bipolar low-noise amplifier under energy-
A package method for reducing bus crosstalk in full chip ESD protection circuit
The influence of package thermal resistance on the EMP injection damage effect of transistors
Experimental Study on Energy Injection Damage of a GaAs Low Noise Amplifier with and without DC Bias
A Novel ESD Protection Circuit Applied in High-speed CMOS IC
Design of a novel dual pathway esd protection device using ISE-TCAD
Transient response of bipolar transistor under intense electromagnetic pulse on collector
专利
半导体器件和集成电路损伤能量阈值的实验方法
CMOS工艺芯片输入端ESD保护单元
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