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纳米CMOS器件源漏新型低接触电阻材料和工艺研究
  • 项目名称：纳米CMOS器件源漏新型低接触电阻材料和工艺研究
  • 项目类别：重大研究计划
  • 批准号：90607018
  • 申请代码：F040601
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-07-01-2008-12-31
  • 项目负责人：蒋玉龙
  • 负责人职称：教授
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2006
中文摘要：

由于源漏金半接触电阻反比于接触面积，因而器件尺寸的快速缩小导致接触电阻急剧上升。为了满足更先进SOC系统对高速、低功耗器件的需求，研究与现有工艺兼容的源漏新型低接触电阻材料和工艺已变得非常必要。降低金半接触势垒高度是目前唯一的有效方法。对于p-Si已经找到PtSi作为低势垒接触材料，而对于n-Si现在尚未找到明确方案。本项目拟探索Er、Yb、Ho等稀土金属在Si、SiGe衬底上的固相反应规律；探索

中文主题词： 低接触电阻;源漏接触;金属硅化物;固相反应
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
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  • 著作
  • 17
  • 2
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期刊论文
Characterization of Ni/Ho and Ni/Er fully silicided metal gates on SiO2 gate dielectric
Oxidation suppression in ytterbium silicidation by Ti/TiN bi-capping layer
非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中的应用
Atomic layer deposition of TiO2 from tetrakis-dimethyl-amido titanium or Ti isopropoxide precursors
Effect of erbium interlayer on nickel silicide formation on Si(1 0 0)
Improvement of Er-silicide formation on Si(100) by W capping
Schottky contact barrier height extraction by admittance measurement
Silicidation of Ni(Yb) Film on Si(001)
Study of Ni/Si(1 0 0) solid-state reaction with Al addition
Study of Ni/Si(100) solid-state reaction with Y addition
Pre-doping effects on Ni fully silicided metal gate on SiO2 dielectric
Erbium silicide formation and its contact properties on Si（100）
Growth of Pinhole Free Ytterbium Silicide Film by Solid-State Reaction on Si(001) with a Thin Amorph
Effect of Pt Addition on the Stress of NiSi Film Formed on Si (100)
Yttrium silicide formation and its contact properties on Si(100)
Linear growth of Ni2Si thin film on n+/p junction at low temperature
掺Pt对Si（100）上形成的NiSi薄膜应力的影响
会议论文
Electrical Properties Study of Ni (Pt)-silicide/Si Contacts
Oxidation Suppression for YbSi2-x Formation and New Method to Extract Schottky Barrier Height by Adm
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