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大面积、高迁移率单层辉钼薄膜的可控制备与掺杂研究
  • 项目名称：大面积、高迁移率单层辉钼薄膜的可控制备与掺杂研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51372033
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：陈远富
  • 依托单位：电子科技大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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