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基于Ga2O3掺Sn沟道与掺Fe栅层的FET相关技术研究
  • 项目名称：基于Ga2O3掺Sn沟道与掺Fe栅层的FET相关技术研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61774019
  • 项目来源：国自然科学基金
  • 研究期限：2018-01-2021-12
  • 项目负责人：唐为华
  • 依托单位：北京邮电大学
  • 批准年度：2017
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