中文摘要：

本项目建立了多孔硅现场电致发光检测系统，获得了从690蓝移至550nm的电位调制电致发光，发光强度随偏压增加而增强直至饱和。发现定偏压下电致发光峰值能量随时间红移。综合运用现场红外光谱技术、原子力显微技术和光电化学方法对多孔硅液相电致发光过程及发光前后的表面组成、结构形貌及光电流变化进行跟踪，实验结果表明过二硫酸根离子的还原是多孔硅电致发光的空穴来源，不同大小的偏压可选择激活不同尺寸的纳米硅，从而导致了发射波长的电压调制；发光过程伴随的表面氧化导致了发光峰位的红移。首次观察到多孔硅液相电致发光的双峰现象，用我们前期研究提出的多源量子阱发光机制模型给出了合理的解释。