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可控III-V族纳米线结构生长机理和特异光电性质研究
  • 项目名称：可控III-V族纳米线结构生长机理和特异光电性质研究
  • 项目类别：重点项目
  • 批准号：11334008
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：陈效双
  • 依托单位：中国科学院上海技术物理研究所
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
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  • 0
  • 0
期刊论文
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基于Pt/CdS与InSb光伏型紫外—红外焦平面探测器的双色探测机理
陈效双的项目
HgCdTe材料和器件界面效应的基础研究
第三代焦平面中HgCdTe材料的量子特征态研究
期刊论文 55 获奖 2 著作 1
铁磁半导体异质结构自旋相关性质的第一性原理研究
期刊论文 17 会议论文 5 著作 1
与光学有关的其他物理问题和交叉学科
期刊论文 60 获奖 2 著作 2
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期刊论文 25 会议论文 6 获奖 4
长波红外探测材料与器件的机理研究
期刊论文 9
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期刊论文 13 专利 1