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脉冲调制等离子体增强原子层刻蚀多尺度研究
项目名称:脉冲调制等离子体增强原子层刻蚀多尺度研究
项目类别:面上项目
批准号:11375040
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:戴忠玲
依托单位:大连理工大学
批准年度:2013
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
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期刊论文
Effects of Low-Frequency Source on a Dual-Frequency Capacitive Sheath near a Concave Electrode
Simulation of Capacitively Coupled Dual-Frequency N2, O2, N2/O2 Discharges: Effects of External Parameters on Plasma Characteristics
Study on atomic layer etching of Si in inductively coupled Ar/Cl2 plasmas driven by tailored bias waveforms
Effects of Tailed Pulse-Bias on Ion Energy Distributions and Charging Effects on Insulating Substrates
A Multi-Scale Study on Silicon-Oxide Etching Processes in C4F8/Ar Plasmas
戴忠玲的项目
双频电容耦合放电等离子体流体动力学数值模拟
期刊论文 12
会议论文 2
反应离子刻蚀微观不均匀性的跨尺度研究
期刊论文 13
会议论文 5