中文摘要：

项目以硅基BaTi2O5薄膜的脉冲激光沉积、结构调控及其性能研究为目标，首先建立了高质量BaTi2O5靶材的制备技术，利用电弧熔炼结合放电等离子烧结技术获得了物相单一、大尺寸（直径20-50mm）、高致密度（97.7%）的BaTi2O5陶瓷；在此基础上，以BaTi2O5陶瓷为靶材，利用脉冲激光沉积技术在Si衬底上制备BaTi2O5薄膜，重点研究了沉积工艺（激光能量密度、氧分压、沉积温度）对薄膜物相、结晶取向、表面形貌和微观结构的影响；建立了BaTi2O5薄膜的脉冲激光沉积技术，解决了其可控生长的技术难题，通过优化沉积工艺、采用MgO缓冲层和采取适宜的结构调控方法，获得了物相单一、b轴择优取向、表面平整致密，而且具有优良介电（介电常数1985@100 kHz，居里温度748K）、铁电（剩余极化强度14.2uC/cm2）和光学性能（透过率>70%）的硅基BaTi2O5薄膜，为新一代铁电存储器的应用提供了一种无铅、环境友好的薄膜新材料。项目在国内外学术期刊上发表学术论文10篇（其中SCI收录3篇，EI收录4篇），申请国家发明专利3项，培养博士、硕士研究生4人。