采用MBE在RHEED原位检测下自组装方法生长出以Gas为衬底、ZnSe为过渡层的CdSe和ZnCdSe量子点单层和多层结构。通过优化生长条件,制备出了高质量的量子点。首次发现n=1的重空穴激子发光衰减时间、随激发密度增加而增加。首次观侧到n=1的重空穴激子一激子散射发光和n=2的重空穴激子发光。研究发现ZnO量子点薄膜的激光增益为270cm(-1)、ZnO量子点薄膜的二阶非线性系数比体材料大14倍;弄清了ZnO量子点薄膜的激光发射机理和二阶非线性远大于体材料的机理。以上研究结果表明,量子点材料将是制备短波长激光、发光二极管和光学非线性器件的理想材料。发表学术论文11篇,另有9篇待发表。