位置：立项数据库 > 立项详情页
射频腔场加载过程中二次电子倍增瞬态特性研究
  • 项目名称：射频腔场加载过程中二次电子倍增瞬态特性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11475155
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：庞健
  • 依托单位：中国工程物理研究院流体物理研究所
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
介质表面附近微波大气击穿的理论研究
氮气开关流柱形成过程的理论研究
新型全腔输出半透明阴极相对论磁控管的理论和数值研究
金属双边二次电子倍增瞬态演化及饱和特性
庞健的项目