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类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
  • 项目名称：类金刚石薄膜为绝缘埋层的SOI新材料研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：60576014
  • 申请代码：F040104
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2006-01-01-2008-12-31
  • 项目负责人：刘卫丽
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2005
中文摘要：

SOI是微纳电子的主流技术。为克服常规SOI材料因二氧化硅埋层导热性较差而产生的自加热效应，本项目提出以导热性能较好并有较好电学性能的类金刚石薄膜为SOI的绝缘埋层。研究高质量稳定类金刚石薄膜的制备及其相应的物理化学原理，掌握类金刚石薄膜和硅表面之间的低温键合技术，并深入研究与键合界面相关的物理化学过程，采用智能剥离的方法制备出以类金刚石薄膜为埋层的SOI新材料，为提高SOI器件性能，拓宽SOI应用范围提供材料基础。

中文主题词： 绝缘体上硅;类金刚石薄膜;智能剥离;自加热效应
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 7
  • 2
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  • 0
期刊论文
Fabrication of Silicon – on – SiO2/Diamond-Like Carbon Dual-Insulator Using Ion-Cutting and Mitigat
High Quality SOI Structure Fabricated by Low Temperature Technology with B+/H+ Co-implantation and P
Void-free low-temperature silicon direct-bonding technique using plasma activation
基于低温键合技术制备SOI材料
会议论文
等离子体表面低温活化对晶圆键合的影响
Study of SOI substrates incorporated with buried MoSi2 layer
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期刊论文 4 会议论文 1