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中文摘要：
在常温下，由于硅片具有硬度大、易碎、电阻率大且难于加工等特点，我们设计了一种新型弧源，使得电弧可以在阴极表面稳定、均匀烧蚀。为了消除宏观颗粒污染，采用了流行的四分之一弯管过滤技术，让荷质比远大于电子和离子的宏观颗粒基本上不受磁场的约束沿着近乎直线飞行而沉积到管壁上。结合前期对沉积薄膜的理论研究，提出了阴极斑点运动模型，揭示了阴极斑点运动的本质，可指导阴极弧源磁场的设计。采用环状坐标，建立和求解了弯管等离体流体力学模型。并同蒙特卡罗方法得到结果进行了比较。利用朗缪尔探针和改进的法拉第杯探测系统对电子和离子参数分布作了精确的诊断。利用改进的真空电弧系统，得到了干净的非晶硅薄膜。
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