研究多组元新材料的快速途径-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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研究多组元新材料的快速途径

项目名称：研究多组元新材料的快速途径
项目类别：面上项目
批准号：50172055
申请代码：E0204
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2002-01-01-2004-12-01

项目负责人：孙大志
负责人职称：教授
依托单位：中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年度：2001

中文摘要：

探索一条研究新材料的快捷途径。研制组分呈梯度分布、组成覆盖整个相图的“相图芯片”，对其电、磁和光学性能以及微区组成、纳米结构进行观测和表征，快速遴选出性能优异的新材料。这将大大提高材料研究效率、减少污染、避免浪费，对缩短新材料研发周期、保护环境、适应市场需求起到推动作用，对提升材料学研究水平和发展速度具有重要意义。

中文主题词：材料芯片；梯度材料；扩散层；性能表征；薄膜

结论摘要：

英文主题词Integrated chip; Gradient materials; Diffusion layer; Characterization of property; Thin film.

成果综合统计