中文摘要：

量子密码通信是近年来发展起来的一种绝对安全的密钥分发技术，目前阻碍量子密码通信走向实用的主要问题是缺少高效的信息载体——单光子源。国际上正在大力开展半导体量子点材料制作单光子源的研究，但是现在电驱动的单光子源只能在低温下工作。近几年，得到InN材料的禁带宽度是0.6-0.7 eV，而不是一直认为的1.9 eV。由于本征禁带宽度的减小，使得InN的发光波长达到了1.55 微米，这样就可以应用到长波长通信波段，使得光通信器件制备可选用的材料得到丰富。本项目主要研究新型长波长InN量子点单光子源。主要研究自组装InN 量子点的优化设计技术；高质量的自组装InN 量子点单光子源材料的MBE外延生长技术；采用阳极氧化工艺制作InN量子点单光子源。研制的InN量子点材料,能够满足未来单光子源工作的要求。因此,该项目具有十分重要的现实意义。