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不同衬底上InGaAs探测材料中位错行为与器件性能关联研究
  • 项目名称：不同衬底上InGaAs探测材料中位错行为与器件性能关联研究
  • 项目类别：青年科学基金项目
  • 批准号：61405232
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：陈星佑
  • 依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
FTIR测量的量子型光电探测器响应光谱校正
陈星佑的项目