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GaN晶体片生长机制的探索
  • 项目名称：GaN晶体片生长机制的探索
  • 项目类别：专项基金项目
  • 批准号：10044001
  • 申请代码：A040103
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2000-01-01-2000-12-01
  • 项目负责人：陈小龙
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2000
中文摘要：

研究GaN与相关体系的作用规律和GaN形成相关系，解决了GaN的生长助熔剂问题，在较温和条件下生长出了4 mm左右的GaN单晶。在液氨条件下实现了GaN单晶的生长，同时获得了立方相GaN。发展了一种新的生长GaN纳米线的方法。该方法不需要模板，直接在晶体衬底上利用气相反应法或升华法获得了直径达10－50nm长度约几十微米的平直光滑的GaN纳米线。理论上首次指出GaN纳米线生长过程中存在一个临界半径，只有当初始半径等于临界半径时，才能获得直径均匀的纳米线，否则只能生成从头部到底部存在一个正的或负的斜率的纳米线。同时在理论上分析了纳米线表面形貌的稳定性问题，指出当表面波动的周期大于纳米线周长时，将导致纳米线表面的不稳定，形成珠状结构。

中文主题词： 氮化镓；熔盐法；单晶生长；纳米线
结论摘要：

英文主题词GaN; Flux method; single crystal growth; nanowires

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
  • 0
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期刊论文
Observation of quantum-confinement effect with GaN nanoparticles synthesized through a new gas react
Fabrication of nano-sized AlGaN alloy by dry milling and thermal annealing
Formation of GaN nanorods by a sublimation method
Radial growth dynamics of nanowires
Morphological stability of a nanowire during growth process
Synthesis and structure of nanocrystal-assembled bulk GaN
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