在CVD制备薄膜过程中,尘埃颗粒的形成会对薄膜生长产生较大影响,而研究其中的影响机理是一项比较有意义的工作;本项目拟采用脉冲射频等离子体方法,产生尘埃等离子体,然后施于脉冲正偏压,制备SiC薄膜;项目主要研究用尘埃等离子体制备SiC薄膜的物理机制,研究尘埃等离子体中尘埃颗粒的尺寸效应,研究尘埃等离子体中尘埃颗粒的电荷积累效应,研究尘埃颗粒的尺寸与电荷积累对薄膜生长的影响,研究负电性尘埃颗粒在薄膜生长过程中的能量沉积效应和动量转换效应,研究不同的尘埃效应对等离子体薄膜生长的影响。这样的研究结合尘埃等离子体与薄膜制备两个方面,对揭示团簇大颗粒在薄膜生长过程中所产生的影响并优化CVD等离子体薄膜技术具有一定的指导价值。