自旋电子学作为一个新兴领域,不但在基础研究方面具有重要意义,而且在应用方面也存在广泛前景。1998年起,本人在国外工作期间,发展了一套基于TB-lmto计算纳米体系散射矩阵的方法,将界面无序与界面能带失配同等处理,使理论计算与实验结果的定量比较首次得以实现.随着器件尺寸向纳米尺度以及反应时间向纳秒(10^-9秒)进展,原有的基于线性响应理论的方法也需要向非平衡态理论发展。本项目将着重发展非平衡态
自旋电子学作为一个新兴领域,不但在基础研究方面具有重要意义,而且在应用方面也存在广泛前景。1998年起,本人在国外工作期间,发展了一套基于TB-lmto计算纳米体系散射矩阵的方法,将界面无序与界面能带失配同等处理,使理论计算与实验结果的定量比较首次得以实现.随着器件尺寸向纳米尺度以及反应时间向纳秒(10^-9秒)进展,原有的基于线性响应理论的方法也需要向非平衡态理论发展。本项目将着重发展非平衡态电子结构计算方法,特别是自旋极化的电子结构计算。物理上将重点研究,磁矩对电流的响应,以期发展一套用脉冲电流读写数据的理论,从而克服用直流电读写数据导致的热效应。