新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”

项目名称：新颖“与CMOS/BiCMOS工艺全兼容的集成肖特基二极管”
项目类别：面上项目
批准号：50777005
申请代码：E070601
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2008-01-01-2010-12-31

项目负责人：陈星弼
负责人职称：教授
依托单位：电子科技大学
批准年度：2007

中文摘要：

现代功率集成电路是绿色革命及节能省材的极为重要的方面，对人类生存及生活的意义极大。传统功率型肖特基二极管主要以分立产品的形式出现在应用领域。集成肖特基二极管优点是成本降低，整个系统小型化，在便携/数码等方面迎合潮流，易于在市场占据一席之地。集成肖特基二极管，即是用集成电路工艺将肖特基管与其他器件集成在一起。本项目研究充分利用CMOS/BiCMOS的工艺来实现将高压功率肖特基二极管与低压电路集成做在同一块芯片上的新型集成肖特基二极管。其关键是提出基础性、原创性的器件且实现在不采用国际上流行的BCD技术及VIPower技术。是制造超高电压（超过300V）表面导电的肖特基二极管的方法。该集成肖特基二极管不但要求耐压高，导通电阻小，开关速度高，从而电学性能优于一般分立的或集成电路中的二极管，而且还要求在制造工艺上与现在国内流行的CMOS/BiCMOS工艺全兼容，以降低成本。

中文主题词：集成肖特基二极管，CMOS/BiCMOS工艺兼容，高压

成果综合统计