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正电子湮没谱学理论与技术研究稀磁半导体中磁性起源及磁耦合机制
  • 项目名称：正电子湮没谱学理论与技术研究稀磁半导体中磁性起源及磁耦合机制
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11475165
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：叶邦角
  • 依托单位：中国科学技术大学
  • 批准年度：2014
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