在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用

项目名称：在SiC衬底上生长SiCGe及其在光控SiC功率器件中的应用
项目类别：面上项目
批准号：60376011
申请代码：F040104
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：2004-01-01-2004-12-01

项目负责人：陈治明
负责人职称：教授
依托单位：西安理工大学
批准年度：2003

中文摘要：

碳化硅器件可兼顾频率与功率，并有耐高温、抗辐照的优点，若能实现光控，则更具有抗电磁干扰的能力，为国防和航空航天等高科技领域所急需。但碳化硅对可见光和近红外光无吸收，不能接受这些光源的直接控制。本项目负责人在世界范围内首次提出采用SiC/SiCGe异质结实现碳化硅达林顿晶体管开关动作的直接光控。本项目按评审批准意见改为对申报项目的一年期可行性预研，内容主要包括SiC/SiCGe 异质结二极管光电特性的计算机仿真和光控SiC 功率开关器件可行性的计算机分析，并探索在碳化硅衬底上生长 SiCGe 的方法及其可行性。计算机仿真结果表明，使用3C-SiC衬底或带3C-SiC缓冲层的4H-或6H-SiC衬底，可以生长晶格匹配或虽有失配但失配很小、且对红光或近红外光有足够响应的SiCGe/SiC异质结，从而实现对碳化硅达林顿晶体管的直接光控。采用热壁低压CVD法，我们也直接在6H-SiC衬底上成功地生长了锗组分接近20％、对近红外和长波可见光有明显吸收的SiCGe薄膜，但对SiCGe/SiC异质结的生长工艺、晶格匹配和光电特性的实验研究还有待在预研基础上进一步深入。

中文主题词：碳化硅;硅碳锗合金;异质结;功率器件;光控

结论摘要：

英文主题词SiC; SiCGe; Heterojunction; Power device; Light-activated

成果综合统计