位置：立项数据库 > 立项详情页
　InGaN/GaN调制量子阱结构和性质
  • 项目名称：　InGaN/GaN调制量子阱结构和性质
  • 批准号：20090001110013
  • 项目来源：高等学校博士学科点专项科研基金博导类课题
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：胡晓东
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：0
胡晓东的项目
2010年国际半导体发光器件会议
基于叠层掩膜的III族氮化物的异质外延生长
期刊论文 2
二元光学微结构GaN基发光器件研究
期刊论文 29 会议论文 9
氮化镓基量子异质结构和发光性质
期刊论文 21 会议论文 9
InGaN调制量子阱结构和性质
期刊论文 26 会议论文 1