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KDP类晶体侧向快速生长物理机制和缺陷形成机理研究
  • 项目名称:KDP类晶体侧向快速生长物理机制和缺陷形成机理研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:11204148
  • 申请代码:A040410
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:钟德高
  • 依托单位:青岛大学
  • 批准年度:2012
中文摘要:

KDP类晶体是目前唯一可用于激光核聚变工程的非线性光学材料,随着高功率激光技术的快速发展,对大截面高质量晶体的需求不断增加,这对该类晶体的生长研究提出了新的更高要求。现有KDP类晶体生长方法都是让晶体各晶面自由生长,最终得到外形为四棱柱和四棱锥聚体状晶体。而用于高功率激光倍频器件的相位匹配方向,与自由生长KDP类晶体晶面间有较大夹角,导致晶体实际利用率很低、生长成本很高。本课题提出通过自行设计特殊的生长装置来限制晶体各晶面的自由生长,并调节生长溶液pH值和使用必要的添加剂来调控不同晶面的生长速度,使晶体只沿相位匹配方向的侧向二维快速生长,进而深入研究晶体侧向快速生长中的基本物理机制和缺陷形成机理,直接生长出满足不同倍频应用要求的片状晶体。这一KDP类晶体生长新技术的研究对于缩短大截面晶体的生长周期、提高晶体利用率、降低成本将有重要实用价值,对相关晶体快速生长物理机制的研究也有一定借鉴意义。

结论摘要:

英文主题词KDP crystal;orientated growth;crystal defects;mixed laser crystals;


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