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中文摘要：
属 于 超 大 规 模 集 成 电 路 后 段 制 程 的 铜 金 属 化 是现 今 及 未 来 集 ?电 路 制 造 中 的 主 导 性 技 术 ， 新一 代 铜 制 程 的 核 心 技 术 即 在 于 全 部 以 化 学 气 相沉 积 的 方 式 成 长 扩 散 阻 障 层 、 铜 种 晶 层 及 铜 金属 膜 。 本 项 目 针 对 新 世 代 铜 制 程 中 的 铜 膜 成 长技 术 ， 研 究 氮 化 钽 ／ 硅 基 材 上 二 阶 段 化 学 气 相沉 积 铜 膜 成 长 、 最 佳 沉 积 ?应 条 件 、 铜 核 形 成过 程 及 铜 膜 成 长 机 制 ， 探 讨 其 沉 积 反 应 机 理 。
结论摘要：
英文主题词Copper film growth; Chemical vapor deposition; Reaction conditions; Gas-solid reaction mechanism; Diffusion
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