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原位自生SiB4改性C/SiC复合材料及其裂纹愈合机理
  • 项目名称:原位自生SiB4改性C/SiC复合材料及其裂纹愈合机理
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:50972119
  • 申请代码:E020302
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2010-01-01-2012-12-31
  • 项目负责人:殷小玮
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:西北工业大学
  • 批准年度:2009
中文摘要:

当具有裂纹自愈合特征的SiB4均匀分布于SiC基体中,SiB4氧化生成SiO2-B2O3玻璃,愈合基体裂纹,可提高C/SiC在500~1000℃的抗氧化性能。针对高推比航空发动机对陶瓷基复合材料的需求,本项目拟采用浆料浸渗结合液硅渗透法,在多孔C/SiC内原位生成SiB4和SiC,研究SiB4改性C/SiC的近尺寸制备方法、SiB4和SiC的生成/生长动力学以及SiB4自愈合相对C/SiC性能的影响。基于浆料浸渗和液硅渗透法,探索制备新型SiB4改性C/SiC复合材料的新方法,揭示SiB4的生成/生长过程和微结构控制机理,从基体弥散自愈合设计的角度阐明熔体渗透C/SiC复合材料的裂纹愈合机理,从而丰富C/SiC复合材料的自愈合理论。本研究的成果有助于拓展SiB4的制备途径及用途,并将完善C/SiC复合材料体系。与CVI C/SiC相比,SiB4改性C/SiC的制备周期预计可缩短约1/3。

结论摘要:

当具有裂纹自愈合特征的SiB4均匀分布于SiC基体中,SiB4氧化生成SiO2-B2O3玻璃,愈合基体裂纹,可提高C/SiC在500~1000℃的抗氧化性能。针对高推比航空发动机对陶瓷基复合材料的需求,本项目采用浆料浸渗结合液硅渗透法,在多孔C/SiC内原位生成SiB4和SiC,研究了SiB4改性C/SiC的近尺寸制备方法、SiB4和SiC的生成/生长动力学以及SiB4自愈合相对C/SiC性能的影响。基于浆料浸渗和液硅渗透法,探索制备了新型SiB4改性C/SiC复合材料的新方法,揭示了SiB4的生成/生长过程和微结构控制机理,从基体弥散自愈合设计的角度阐明了熔体渗透C/SiC复合材料的裂纹愈合机理,从而丰富了C/SiC复合材料的自愈合理论。本研究的成果有助于拓展SiB4的制备途径及用途,丰富了C/SiC复合材料体系。SiB4改性C/SiC的抗弯强度达340MPa,与CVI C/SiC相比,周期缩短了约1/3;改性C/SiC在1300C空气中热震60次后强度保持率为95%,在1000C空气中氧化热震10次后强度保持率为93%,而未改性C/SiC的强度保持率为70%。


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 8
  • 0
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  • 0
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