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中文摘要：
通过分析Poly-Si TFTs中的晶粒间界陷阱态密度分布，研究晶粒间界电荷分享效应对Poly-Si TFTs阈值电压的影响，给出了考虑表面散射及栅压和漏压调制效应的Poly-Si TFTs有效迁移率模型。在分析研究晶粒间界U型分布的陷阱态、栅氧化层厚度、衬底掺杂以及晶粒尺寸对阈值电压影响的基础上，建立一个具有简明表达式的Poly-Si TFTs阈值电压解析模型。以包含Poole-Frenkel效应的陷阱辅助热电子场致发射理论为基础，结合沟道电场分布情况，建立一个适用于电路仿真的Poly-Si TFTs泄漏电流的紧致模型，模型包括了栅漏交叠区的泄漏电流分量、漏端横向PN结耗尽区的泄漏电流分量、温度效应、空穴发射电流以及电子发射电流，能很好地反映泄漏电流与温度、栅压和漏压的关系。
结论摘要：
英文主题词Thin film transistor；Compact model；Polycrystalline silicon；Threshold voltage；Leakage current
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