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一维III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
  • 项目名称：一维III族氮化物半导体微腔结构中激子极化激元和受激辐射研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61274003
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘斌
  • 依托单位：南京大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 10
  • 0
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期刊论文
GaN纳米柱发光特性
GaN nanopillars with a nickel nano-island mask
背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响
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GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性
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HVPE生长的高质量GaN纳米柱的光学性能
石墨烯上生长GaN纳米线
InGaN基LED中极化效应对发光特性的影响
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基于非辐射共振能量转移机制的混合结构白光LED器件
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