中文摘要：

近年来纳米硅室温强可见光发射的发现，使人们看到了硅被用于光子学光源，从而实现全硅光电集成的可能性。当前制约硅纳米场致发光器件发展的关键是如何制备可独立控制晶粒尺寸和密度的纳米硅结构以及如何提高载流子的注入效率和器件的发光效率，因此研究制备条件和器件结构对纳米硅发光特性和电学性能的影响规律，具有重要的科学意义和巨大的应用前景。根据限制性结晶原理制备纳米Si/SiO2超晶格结构这一独特技术，研究制备条件对SiO2基质中纳米硅的晶粒尺寸和密度等的影响规律；研究纳米硅的发光特性与其晶粒尺寸和密度的关系以及超晶格结构中纳米硅的发光动力学过程；探索器件中纳米硅的晶粒尺寸和密度等因素对低压驱动条件下载流子注入效率和发光效率的影响；设计场致发光器件的结构，并优化结构参数；筛选电极和修饰层；提高器件的场致发光性能。