位置：立项数据库 > 立项详情页
　第三代半导体GaN功率电子材料与器件的产业化技术开发
  • 项目名称：　第三代半导体GaN功率电子材料与器件的产业化技术开发
  • 批准号：t664071001
  • 项目来源：2015年广东省应用型科技研发专项资金项目
  • 研究期限：2015-10-
  • 项目负责人：刘扬
  • 依托单位：中山大学
  • 批准年度：2015
刘扬的项目
氮化物半导体功率电子材料中深能级缺陷电学行为研究
期刊论文 1
常关型宽禁带氮化镓MOS场效应晶体管的研究
期刊论文 31 专利 7
选区外延槽栅结构GaN基MOSFET栅区缺陷控制机理研究
　广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心建设
　第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
　第三代半导体GaN电力电子材料与器件研究团队
　广东省第三代半导体GaN电力电子材料与器件工程技术研究中心建设
　第三代半导体GaN功率电子材料与器件的产业化技术开发