欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
立项数据库
> 立项详情页
IGBT芯片疲劳失效机理及其健康状态监测方法研究
项目名称:IGBT芯片疲劳失效机理及其健康状态监测方法研究
项目类别:青年科学基金项目
批准号:51507185
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:刘宾礼
依托单位:中国人民解放军海军工程大学
批准年度:2015
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
5
0
0
0
0
期刊论文
中频逆变器2自由度稳健控制器设计
基于电压对电流变化率的IGBT结温变化机理及监测方法
沟槽栅场终止型IGBT瞬态数学模型
基于传热动力学作用特征的IGBT结温预测数学模型
基于集电极漏电流的IGBT健康状态监测方法研究
刘宾礼的项目