中文摘要：

本项目研究非电离能损在空间剂量学中的作用。发展和改进相关核理论模型，建立70-350MeV中能质子的非电离能损计算方法，建立最终损伤和非电离能损的关系，分析非电离能损与材料的损伤因子之间的关系。探讨非电离能损对器件空间失效的影响。本项目对辐射效应和空间器件飞行器的设计有重要意义。具有广泛的应用前景。

结论摘要：

本项目研究非电离能损（NIEL）在空间剂量学中的作用。发展和改进相关核理论模型，建立70-350MeV中能质子的非电离能损计算方法，建立最终损伤和非电离能损的关系，分析非电离能损与材料的损伤因子之间的关系。探讨非电离能损对器件空间失效的影响。本项目对辐射效应和空间器件飞行器的设计有重要意义。具有广泛的应用前景。建立质子的NIEL和位移损伤效应的物理模型。重点放在质子在70-350MeV能区的NIEL的研究上。开发并移植HETC、SHIELD、RADDAM等程序系统，建立质子的NIEL计算手段，用Monte-Carlo方法研究半导体材料的NIEL计算，并利用ENDF/B-Ⅵ和CENDL-3等最新发展的数据库提供可靠的核反应截面。我们拟选取在空间装置中辐射敏感的半导体材料Si、GaAs中的NIEL进行系统的研究，建立质子的NIEL计算手段；分析NIEL与材料损伤因子的关系，探讨NIEL对器件空间失效的影响。通过相关研究的开展，可以促进空间剂量学的发展，对空间飞行器的设计会有重要。