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纳米结构中的电子和空穴隧穿
  • 项目名称：纳米结构中的电子和空穴隧穿
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：10174076
  • 申请代码：A040204
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2002-01-01-2004-12-01
  • 项目负责人：李树深
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所
  • 批准年度：2001
中文摘要：

纳米结构中的电子和空穴量子隧穿研究有重要物理意义和巨大潜在应用价值。在许多纳米结构材料中电子空穴有效质量具有空间各向异性且轻空穴与重空穴之间具有混合效应使电子空穴隧穿机制非常复杂。在许多纳米器件中需要引入掺杂，量子隧穿机制研究是必不可少的。通过对纳米结构中的量子隧穿研究可以为未来微电子光电子和其它纳米器件应用打下基础。

中文主题词： 电子和空穴，隧穿，纳米结构
结论摘要：

英文主题词Electron and Hole, Tunneling, Nanostructures

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 11
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Electronic structure and transport property of quantum rings in magnetic field.,
Conditions for the local manipulation of all bipartite Gaussian states
Resonant tunnelling theory of planar quantum dot structures
Spin-dependent transport through Cd1-xMnxTe diluted magnetic semiconductor quantum dots
Conditions for the local manipulations of tripartite Gaussian states,
Decoherence of two solid state qubits coupled via (x(x coupling exposed to (x noise
Device for charge- and spin-pumped current generation with temperature-induced enhancement
Method for generating maximally entangled states of multiple three-level atoms in cavity QED
Detecting Quantum Entanglement by means of Local Operations and Classical Communication
Electron and hole states in diluted magnetic semiconductorquantum dots
ac gate-induced Fano resonance and peak splitting of conductance in a quantum dot
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