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　毫米波GaN功率器件和电路研究
  • 项目名称：　毫米波GaN功率器件和电路研究
  • 批准号：2010CB327503
  • 项目来源：2010年度国家重点基础研究发展计划（973计划）项目
  • 研究期限：2010-01-
  • 项目负责人：刘新宇;王晓亮;郑英奎;肖红领;魏珂;王翠梅
  • 依托单位：中国科学院半导体研究所;中国科学院微电子研究所
  • 批准年度：2010
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 10
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期刊论文
Simulation and research of percolation phenomenon in T-ZnOw resin matrix composite
Investigation of the current collapse induced in InGaN back barrier AIGaN/GaN high electron mobility transistors
High quality GaN-based LED epitaxial layers grown in a homemade MOCVD system
Simulation of electrical properties of In_xAl_（1-x）N/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
A Ku band internally matched high power GaN HEMT amplifier with over 30% of PAE
Effect of varying layouts on the gate temperature for multi-finger AIGaN/GaN HEMTs
A Ku-band high power density AlGaN/GaN HEMT monolithic power amplifier
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage＊
Improvement of breakdown characteristics of an A1GaN/GaN HEMT with a U-type gate foot for millimeter-wave power application
刘新宇;王晓亮;郑英奎;肖红领;魏珂;王翠梅的项目