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压电特性ZnO纳米结构生长机理及纳功能器件基础研究
  • 项目名称：压电特性ZnO纳米结构生长机理及纳功能器件基础研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50872008
  • 申请代码：E0204
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2009-01-01-2011-12-31
  • 项目负责人：齐俊杰
  • 负责人职称：副教授
  • 依托单位：北京科技大学
  • 批准年度：2008
中文摘要：

研究了控制纳米结构合成的生长条件，实现了多种一维极性面控制ZnO纳米材料的控制合成与组装；研究了合成材料的结构及生长机理，提出了掺杂诱导极性面生长机理及缺陷诱导生长机制；对一维ZnO 纳米材料的电学、力学、力电、光学性能等进行了研究；利用扫描隧道显微镜、纳米操纵及测试系统等研究了纳米尺度ZnO的自由表面影响压电力学行为的规律，利用合成的纳米结构组装成压电开关、场效应晶体管、压电子应力传感器等多种压电及光电压电耦合原理型器件，研究了器件的电学/光学性质和外加应力之间的关系，探索了纳米材料及器件的初步应用；另外研究了纳米材料和器件的损伤失效行为。为一维功能纳米材料的制备、应用提供了理论基础、实验技术和研究方法，对掺杂功能纳米线和纳米带材料的研究、开发及应用有重要意义。

中文主题词： 氧化锌；压电特性；生长机理；纳米器件
结论摘要：

英文主题词ZnO; Piezoelectric property; Growth mechanism; Nanodevice

成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 13
  • 3
  • 0
  • 0
  • 1
期刊论文
Fabrication and Characterization of In/ZnO-SiOx Core-Shell Nanocable Heterostructures
Combined Field and Thermionic Emission Process in ZnO Nanostructure Cold Emission Cathode
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Electrical breakdown of ZnO nanowires in metal-semiconductor-metal structure
Tuning electronic transport of ZnO micro/nanowires by a transverse electric field
A novel logic switch based on individual ZnO nanotetrapodes
Utilization of electron beam to modulate electron injection over Schottky barrier
Diameter-dependent internal gain in ZnO micro/nanowires under electron beam irradiation
Fabrication and Optical Properties of Mn Doped ZnS Nanowires
Effect of electron irradiation on the Schottky gate of ZnO nanowires based field effect transistors
Multi-zone light emission in a one-dimensional ZnO waveguide with hybrid structures
铟掺杂氧化锌．氧化硅纳米电缆芯．壳异质结构的制备及表征
会议论文
热沉积法制备一维ZnS纳米带
单根ZnO纳米线MESFET的构建及电性能
Performance and Security of One-dimensional ZnO Piezoelectric, Optoelectronic and Bio- devices
著作
一维氧化锌纳米材料
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