II-VI族半导体纳米发光材料(如碲化镉,硒化镉,硒化镉/硫化锌核壳结构等)以其优异的特性引起了人们的广泛关注,有望成为传统蓝、绿色发光二极管材料的补充和替代材料,用于制备新型、高效、廉价的蓝、绿发光二极管。本课题拟采用改进的低温溶液化学方法,制备一系列具有高荧光量子产率的蓝、绿光的半导体量子点,利用层层组装和脉冲激光沉积方法将半导体纳米发光层和导电传输层沉积于铝电极和ITO电极之间,进行发光二极管的器件组装。利用HRTEM、AFM、STM、电化学工作站及紫外、荧光等光谱等手段,对半导体量子点的结构与性能以及纳米发光二极管的发光特性等进行详细表征。通过优化半导体纳米发光材料的制备技术,纳米发光二极管器件构造,纳米发光层材料厚度和发光效率等方法,探索研制具有我国自主知识产权的高效、廉价蓝、绿色纳米发光二极管器件。
英文主题词Blue and green emission; Semiconductor quantum dots; Light-emitting diodes