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中文摘要：
随器件尺寸的不断缩小，随现行SOI技术的不断采用，介质在器件（深槽）隔离技术中的不断应用，都使得热阻不断增加，器件本身自加热（self-heating）和热耦合效应对器件的影响越来越显著。自加热不但显著地影响器件特性，而且引起器件热不稳定、形成热斑和导致热烧毁，严重限制了器件高功率工作。本课题将从理论与实验上全面研究HBT的自热和热耦合效应，研究补偿自热效应的措施，特别是通过器件本身设计（非均等的发射区条长、条间距的组合）和利用异质结（ΔEV）的特点来补偿自热和热耦合效应的方法，优化镇流电阻（减少电阻值或不用镇流电阻），最大限度地发挥HBT高频功率处理能力，提高器件特性的稳定性（减少特性漂移），本课题对设计和制造既有高功率、高功率增益和高集电极附加效率，又有高热稳定性的微波功率HBT具有重要的理论和实际意义。
结论摘要：
随器件尺寸的不断缩小，随现行SOI技术的不断采用，介质在器件（深槽）隔离技术中的不断应用，都使得热阻不断增加，器件本身自加热（self-heating）和热耦合效应对器件的影响越来越显著。自加热和热耦合效应不但显著地影响器件特性，而且引起器件热不稳定、形成热斑和导致热烧毁，严重限制了器件高功率工作。本课题从理论与实验上全面研究了HBT的自热和热耦合效应，研究补偿自热效应的措施，特别是通过器件本身设计（非均等的发射区条长、条间距的组合）和利用异质结（ΔEV）的特点来补偿自热和热耦合效应的方法，优化镇流电阻（减少电阻值或不用镇流电阻），最大限度地发挥HBT高频功率处理能力，提高器件特性的稳定性（减少特性漂移），本课题对设计和制造既有高功率、高功率增益和高集电极附加效率，又有高热稳定性的微波功率HBT具有重要的理论和实际意义。
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