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SiGe应变沟道功率MOSFET器件研究
  • 项目名称：SiGe应变沟道功率MOSFET器件研究
  • 项目类别：国际(地区)合作与交流项目
  • 批准号：60820106001
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：许军
  • 依托单位：清华大学
  • 批准年度：2008
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
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期刊论文
Impacts of additive uniaxial strain on hole mobility in bulk Si and strained-Si p-MOSFETs
Fabrication of strained Ge film using a thin SiGe virtual substrate
A PNPN tunnel field-effect transistor with high-k gate and low-k fringe dielectrics
p沟VDMOS的设计及抗辐照特性研究
许军的项目
适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究
期刊论文 36 会议论文 5
下一代超高速应变硅MOS器件与集成电路基础研究
期刊论文 13 会议论文 2