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半导体中亚稳态缺陷的研究
  • 项目名称：半导体中亚稳态缺陷的研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：68876104
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：秦国刚
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：1988
秦国刚的项目
氮化镓系半导体中对发光有重要影响的杂质缺陷研究
GaN中氢、碳和氧的行为和作用
多孔硅材料的微结构和发光特性研究
室温辐照吸杂研究和应用于提高硅太阳电池效率的探索
等离子体处理与高能电子辐照相结合激励Si和GaAs中杂质原子室温扩散
硅/有机化合物杂化电致发光
期刊论文 1
硅基高效率电致发光和电泵激光材料基础研究
期刊论文 30 专利 9
金属/含纳米硅或锗的超簿介质膜/硅电致发光的基础研究
纳米硅对掺铒氧化硅1.54μm电致发光的增强作用
第二届多孔半导体会议
期刊论文 1
硅基掺稀土离子的纳米硅/氧代硅体系发光
硅基电致发光和激光
砷化镓中深能级的综合研究
源自纳米半导体的高效率硅基电致发光
含半导体纳米晶杂化材料体系发光中的能量转移
期刊论文 18
肖特基势垒与氢
多孔硅材料与可见光发光
硅与砷化镓中杂质间和缺陷间的相互作用
以石墨烯为透明导电阳极的有机电致发光基础研究
期刊论文 8
“硅基”在有机半导体发光和激光中的优势、特色和潜力
期刊论文 22