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强磁场烧结对BiFeO3基薄膜微结构及漏电性能调控的研究
  • 项目名称:强磁场烧结对BiFeO3基薄膜微结构及漏电性能调控的研究
  • 项目类别:青年科学基金项目
  • 批准号:11204316
  • 申请代码:A040211
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2013-01-01-2015-12-31
  • 项目负责人:汤现武
  • 依托单位:中国科学院合肥物质科学研究院
  • 批准年度:2012
中文摘要:

强磁场下合成材料可获得其它常规方法难以获得的材料微结构与性能。我们前期低磁场(<1T)烧结BiFeO3(BFO)前驱薄膜的研究观察到,磁场烧结可以有效调控BFO薄膜的微结构及漏电流等性能。本项目将在前期工作基础上,采用化学溶液法制备BFO基薄膜,通过在强磁场(1-10T)下对未晶化和已晶化薄膜的烧结,实现对薄膜形核和长大以及漏电流的调控。拟选取BFO、Bi1-xGdxFeO3、BiFe1-xMnxO3及第二相Sm2O3掺杂的BFO薄膜为研究对象,研究强磁场烧结时,磁场强度、方向等参数对上述薄膜微结构和漏电特性的影响。通过IV测试、拟合漏电流曲线,并结合磁性、铁电性能、磁介电等性能测试结果,建立强磁场烧结-掺杂-微结构-漏电流特性等的关联;揭示强磁场烧结对漏电流特性进而对磁、电性能的影响机制,为提高BFO基薄膜的磁电性能提供实验和理论依据。

结论摘要:

英文主题词high magnetic annealing;chemical solution deposition;BiFeO3;leakage;thin films


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