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　高效率大功率发光二极管外延材料研究
  • 项目名称：　高效率大功率发光二极管外延材料研究
  • 批准号：2006AA03A106
  • 项目来源：2006年度“十一五”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料领域“半导体照明工程”重大项目
  • 研究期限：2006-12-
  • 项目负责人：陈弘
  • 依托单位：中国科学院物理研究所
  • 批准年度：2006
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 4
  • 0
  • 0
  • 0
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期刊论文
使用AlN/GaN超晶格势垒层生长高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构
Characteristics of GaN grown on 6H-SiC with different AIN buffers
r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究
大功率发光二极管外延材料生长技术
陈弘的项目
第六届中日薄膜学术讨论会
半导体大晶格失配外延的缺陷阻挡技术研究
激光干涉纳米图形衬底制备高均匀性量子点的方法研究
期刊论文 2
氮化镓基LED材料发光机理的研究
期刊论文 21
第六届中日薄膜学术讨论会
低维多量子阱中载流子输运行为的光致荧光谱分析研究
期刊论文 2
R面蓝宝石上A面GaN生长研究
期刊论文 10 会议论文 1