位置：立项数据库 > 立项详情页
新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究
  • 项目名称：新型衬底上高质量GaN单晶的HVPE生长及自剥离研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51572153
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：郝霄鹏
  • 依托单位：山东大学
  • 批准年度：2015
郝霄鹏的项目
　金、银纳米材料的功能化及其光透射增强效应的研究
　金、银纳米材料的功能化及其光透射增强效应的研究
GaN体单晶生长基础研究
期刊论文 29
氮化硼纳米晶体溶剂热合成反应机理和物相控制技术研究
期刊论文 19 会议论文 4