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中文摘要：
在2～3微米中红外波段锑化物半导体激光器的发展受到一定限制，而对技术上有优势的不含锑InP基材料，不采用创新的思路则难以扩展进入此波段。本项目以发展2～3微米中红外波段不含锑的InP基波长拓展半导体激光器为目标，以改变量子阱结构的形态作为基本出发点，探索了包含复杂结构的非矩形量子阱中的能带变化和应变行为及其生长的动力学过程，自主开发了此类结构的气态源分子束外延生长方法和关键技术，结合实验进行了相关的测量表征研究，填补了此方面研究中的若干空缺，进而研制出2～3微米波段的不含锑InP基非矩形量子阱外延材料并获得了良好的光致发光特性，推动了我国在这一前沿领域的发展。中红外波段半导体激光器在环保、通信、医疗以及军事等方面都有重要应用诸多气体在此波段上都有强特征吸收,基于分子光谱的实时痕量气体探测急需发展；一些物体的热辐射峰值落于此波段且包含重要的大气透明窗口，在发展红外对抗及自由空间光通信方面前景广阔。
结论摘要：
英文主题词Mid-infrared; Wavelength ectending; Semiconductor laser; non-rectangular quantom wells; MBE
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