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多核钨氧化物的电子结构与化学键
  • 项目名称:多核钨氧化物的电子结构与化学键
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:20771026
  • 申请代码:B010602
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:黄昕
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:福州大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

钨氧化物作为一类重要材料获得广泛的技术运用,例如用于电色谱装置、 化学传感器等, 尤其在异相催化方面极具应用前景。本研究组致力于发展相关簇模型用于氧化钨表面与催化性能研究,期间通过理论计算与光电子谱实验相结合等手段表征一系列新颖的氧化钨蔟合物,并获取相关体系表面结构及催化活性位等有关的机理信息。本项目的主体工作是运用密度泛函方法研究一系列氧化钨体系的几何结构和电子结构,通过轨道分析理解体系化学成键特性,揭示相关体系电子及几何结构演化的规律,探索调控钨氧化物反应活性的可行途径,为该类功能材料和催化剂的性能改进以及相应的实验研究提供可靠的理论依据。

结论摘要:

英文主题词Tungsten Oxide; O-deficient Defect; DFT; Electronic Structure; Chemical Bonding


成果综合统计
成果类型
数量
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